8A 500V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET F8N50 TO-220F

8A 500V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series cum UL signis observare (File ref:E252906). 

2 Features

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤0.9Ω) 

Minimum crimen (Typ: 24nC) 

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 7pF)

C% unius pulsus NIVIS industria test 

C% VDS test 

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

Power switch circuit electronico saburra et nibh

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
500V	0.72Ω	8A