8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F8N50 TO-220F

8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ

ເຫຼົ່ານີ້ N-channel ປັບປຸງ vdmosfets, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການວາງແຜນຕົນເອງສອດຄ່ອງທີ່ຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍ conduction, ປັບປຸງການປະຕິບັດການສະຫຼັບແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. TO-220F ສະໜອງແຮງດັນສນວນກັນຄວາມຮ້ອນທີ່ 2000V RMS ຈາກທັງສາມປ່ຽງໄປຫາຄວາມຮ້ອນພາຍນອກ. ຊຸດ TO-220F ປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ UL (ເອກະສານອ້າງອີງ: E252906). 

2 ຄຸນສົມບັດ

● ສະຫຼັບໄວ 

● ESD ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ(Rdson≤0.9Ω) 

● ຄ່າຜ່ານປະຕູຕໍ່າ (ປະເພດ: 24nC) 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບຕ່ໍາ (ປະເພດ: 7pF)

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche avalanche ດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆເພື່ອການປັບລະບົບຂະໜາດນ້ອຍ ແລະປະສິດທິພາບສູງກວ່າ.

● ວົງຈອນສະວິດໄຟຂອງ ballast ເອເລັກໂຕຣນິກ ແລະອະແດບເຕີ

VDSS	RDS(ເປີດ) (TYP)	ID
500V	0.72Ω	8A