kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vi ste ovdje: Dom » Proizvodi » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 8A 500V N-kanal Način poboljšanja Power Mosfet F8N50 TO-220F

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

8A 500V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet F8N50 TO-220F

8A 500V N-kanala Način poboljšanja Power MosFET
Dostupnost:
Količina:

8A 500V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet


1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET dobivaju se samo-usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom. TO-220F osigurava izolacijski napon na 2000 V RM-a od sva tri terminala do vanjskog hladnjaka. TO-220F serija je u skladu s UL standardima (File Ref: E252906). 


2 značajke

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšala sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,9Ω) 

● Naboj s malim vratima (Typ: 24NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 7PF)

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 


3 prijave

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera


VDSS  RDS (ON) (Tip) Osobna iskaznica 
500V 0,72Ω 8a



Prethodno: 
Sljedeći: 
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu