gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V n Mos » 8a 500V N-Channel Mode Peningkatan Power Mosfet F8n50 To-220f

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET F8N50 TO-220F

8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power Power MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:

8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi

N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. TO-220F menyediakan tegangan isolasi yang diberi peringkat RMS 2000V dari ketiga terminal ke heatsink eksternal. TO-220F Series mematuhi standar UL (File Ref: E252906). 


2 fitur

● Pergantian cepat 

● Kemampuan ESD Peningkatan 

● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.9Ω) 

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 24NC) 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 7PF)

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100% 

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.

● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron


VDSS  Rds (on) (typ) PENGENAL 
500v 0.72Ω 8a



Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda