Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantitas: | |
F8n50
Wxdh
TO-220F
500v
8a
8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 deskripsi
N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. TO-220F menyediakan tegangan isolasi yang diberi peringkat RMS 2000V dari ketiga terminal ke heatsink eksternal. TO-220F Series mematuhi standar UL (File Ref: E252906).
2 fitur
● Pergantian cepat
● Kemampuan ESD Peningkatan
● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.9Ω)
● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 24NC)
● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 7PF)
● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%
● Tes 100% ΔVDS
3 aplikasi
● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron
VDSS | Rds (on) (typ) | PENGENAL |
500v | 0.72Ω | 8a |
8A 500V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 deskripsi
N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS. TO-220F menyediakan tegangan isolasi yang diberi peringkat RMS 2000V dari ketiga terminal ke heatsink eksternal. TO-220F Series mematuhi standar UL (File Ref: E252906).
2 fitur
● Pergantian cepat
● Kemampuan ESD Peningkatan
● Rendah pada resistansi (RDSON≤0.9Ω)
● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 24NC)
● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 7PF)
● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%
● Tes 100% ΔVDS
3 aplikasi
● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.
● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron
VDSS | Rds (on) (typ) | PENGENAL |
500v | 0.72Ω | 8a |