dostupnosti MOSFET: | |
---|---|
Množství: | |
F8N50
Wxdh
TO-220F
500V
8a
8A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET
1 Popis
Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL (soubor Ref: E252906).
2 funkce
● Rychlé přepínání
● ESD vylepšená schopnost
● Nízký odpor (RDSON ≤ 0,9 Ω)
● Nízká brána (Typ: 24NC)
● Kapacity s nízkým přenosem pro zpětný přenos (typ: 7pf)
● 100% test na lavinu s jedním pulsem
● Test 100% ΔVDS
3 aplikace
● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Obvod napájecího spínače elektronového balastu a adaptéru
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
500V | 0,72Ω | 8a |
8A 500V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET
1 Popis
Tyto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS je získáno samostatně vyrovnanou rovinnou technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje výkon přepínání a zvyšuje energii laviny. Který v souladu se standardem ROHS. TO-220F poskytuje izolační napětí hodnocené při 2000 V RMS od všech tří terminálů po externí chladič. Série TO-220F v souladu s normami UL (soubor Ref: E252906).
2 funkce
● Rychlé přepínání
● ESD vylepšená schopnost
● Nízký odpor (RDSON ≤ 0,9 Ω)
● Nízká brána (Typ: 24NC)
● Kapacity s nízkým přenosem pro zpětný přenos (typ: 7pf)
● 100% test na lavinu s jedním pulsem
● Test 100% ΔVDS
3 aplikace
● Používá se v různých přepínacích obvodu pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost.
● Obvod napájecího spínače elektronového balastu a adaptéru
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
500V | 0,72Ω | 8a |