8A 500V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F8N50 TO-220F

8A 500V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självjusterade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden. TO-220F ger isoleringsspänning klassad till 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien överensstämmer med UL-standarder (Referens:E252906). 

2 funktioner

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤0,9Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 24nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 7pF)

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet.

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
500V	0,72Ω	8A