Modalità di potenziamento a canale N MOSFET di potenza 8A 500V D8N50 TO-252B

Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 8A 500V

1 Descrizione

Questi vdmosfet potenziati a canale N sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Funzionalità ESD migliorata 

● Bassa resistenza (Rdson≤0,9Ω) 

● Carica gate bassa (tip.: 24nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 7pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni 

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di potenza per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione del reattore elettronico e dell'adattatore.

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
500 V	0,72 Ω	8A