N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

N-kanali täiustusrežiim Toide MOSFET 8A 500V

1 Kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud vdmosfetid saadakse isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviini energiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused

● Kiire ümberlülitamine 

● ESD täiustatud võime 

● Madal takistus (Rdson≤0,9Ω) 

● Värava madal laetus (tüüp: 24nC) 

● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 7pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test

3 Rakendused 

● Kasutatakse erinevates toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
500V	0,72 Ω	8A