N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfets opnås af den selvjusterede plane teknologi, som reducerer ledningstabet, forbedrer omskiftningsydelsen og forbedrer lavineenergien. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 

2 funktioner

● Hurtigt skifte 

● ESD forbedret kapacitet 

● Lav modstand (Rdson≤0,9Ω) 

● Lav portladning (Type: 24nC) 

● Lave omvendte overførselskapacitanser (Type: 7pF) 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test

3 Ansøgninger 

● Anvendes i forskellige strømomskifterkredsløb til systemminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strømafbryderkredsløb for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
500V	0,72 Ω	8A