қақпа
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Сіз осындасыз: Үй » Өнімдер » MOSFET » 400В-1500В N MOS » N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

жүктеу

Бөлісу:
facebook бөлісу түймесі
twitter бөлісу түймесі
сызықты ортақ пайдалану түймесі
wechat бөлісу түймесі
linkedin бөлісу түймесі
pinterest бөлісу түймесі
whatsapp бөлісу түймесі
бөлісу түймесін басыңыз

N-арнасын жақсарту режимі Қуат MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

N-каналды жақсарту режимі Қуат MOSFET 8A 500V
Қол жетімділігі:
Саны:

N-арнаны жақсарту режимі Қуат MOSFET 8A 500V


1 Сипаттама

Бұл N-арналы жақсартылған vdmosfets, өткізгіштік жоғалуын азайтатын, коммутациялық өнімділікті жақсартатын және көшкін энергиясын арттыратын өздігінен реттелетін жазық технология арқылы алынған. Бұл RoHS стандартына сәйкес келеді. 


2 Мүмкіндіктер

● Жылдам ауысу 

● ESD жақсартылған мүмкіндігі 

● Төмен қарсылық (Rdson≤0,9Ω) 

● Төмен зарядтау (Типі: 24nC) 

● Төмен кері тасымалдау сыйымдылығы (Типі: 7pF) 

● 100% бір импульстік көшкін энергиясының сынағы 

● 100% ΔVDS сынағы


3 Қолданбалар 

● Жүйені кішірейту және жоғары тиімділік үшін әртүрлі қуат коммутация тізбегінде қолданылады. 

● Электрондық балласт пен адаптордың қуат қосқышының тізбегі.


VDSS  RDS(қосулы)(TYP) ID 
500В 0,72 Ом



Алдыңғы: 
Келесі: 
  • Біздің ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз
  • болашаққа дайын болыңыз,
    тікелей кіріс жәшігіңізге жаңартулар алу үшін ақпараттық бюллетеньге жазылыңыз