N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

N-kanavainen lisätila Virta MOSFET 8A 500V

1 Kuvaus

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto 

● Parannettu ESD-ominaisuus 

● Pieni resistanssi (Rdson≤0,9Ω) 

● Matala portin lataus (Tyyppi: 24nC) 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit (Tyyppi: 7pF) 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset 

● Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi. 

● Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS (päällä) (TYP)	ID
500V	0,72 Ω	8A