kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi » MOSFET » 400V-1500V N MOS » N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

učitavanje

Podijeli na:
facebook gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje na twitteru
gumb za dijeljenje linije
wechat gumb za dijeljenje
linkedin gumb za dijeljenje
pinterest gumb za dijeljenje
gumb za dijeljenje WhatsAppa
podijeli ovaj gumb za dijeljenje

N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 8A 500V
Dostupnost:
Količina:

N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 8A 500V


1 Opis

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom. 


2 Značajke

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,9Ω) 

● Nizak naboj vrata (tip: 24 nC) 

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 7pF) 

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test


3 Prijave 

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.


VDSS  RDS (uključen) (TYP) ID 
500V 0,72 Ω 8A



Prethodna: 
Sljedeći: 
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali novosti izravno u svoju pristiglu poštu