حالت تقویت کانال N- کانال قدرت MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

حالت تقویت کانال N-Channel Power MOSFET 8A 500V

1 توضیحات

این VDMOSFET های پیشرفته N- کانال ، توسط فناوری مسطح خود تراز شده که باعث کاهش از دست دادن هدایت ، بهبود عملکرد سوئیچینگ و افزایش انرژی بهمن می شود ، بدست می آید. که با استاندارد ROHS مطابقت دارد. 

2 ویژگی

● سوئیچینگ سریع 

● ESD قابلیت بهبود یافته 

● کم مقاومت (Rdson≤0.9Ω) 

legh شارژ پایین دروازه (تایپ: 24nc) 

alpass خازن انتقال معکوس پایین (تایپ: 7pf) 

● 100 ٪ تست انرژی بهمن پالس تک 

● 100 ٪ تست ΔVDS

3 برنامه 

● در مدار مختلف سوئیچینگ برق برای کوچک سازی سیستم و راندمان بالاتر استفاده می شود. 

circuit مدار سوئیچ برق از بالاست و آداپتور الکترونی.