brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V
Dostupnost:
Množství:

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 8A 500V


1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti

● Rychlé přepínání 

● Vylepšená schopnost ESD 

● Nízký odpor (Rdson≤0,9Ω) 

● Nízké nabití brány (Typ: 24nC) 

● Nízké zpětné přenosové kapacity (Typ: 7pF) 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS


3 Aplikace 

● Používá se v různých výkonových spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.


VDSS  RDS(zapnuto)(TYP) ID 
500V 0,72 Ω 8A



Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky