brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
20A 45V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45 V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
2A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60 V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650 V 50A _arkusz danych(1)(1).pdf
36A 1200 V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf
Dioda barierowa 20A 650V SiC Schottky'ego DCCT20D65G4 TO-247-2L DCCT20D65G4 TO-247-2L 650 V 20A Specyfikacja urządzenia DCCT20D65G4.pdf
170A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Specyfikacja urządzenia DHS020N04P Rev.2.0.pdf
20A 200V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT TO-220C 200 V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH065N04.pdf
10A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100 V 10A 英文版MBR10100CT技术规格书.pdf
75A 1200 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200 V 75A _datasheet-V1.2.pdf
12A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specyfikacja urządzenia D12N06 (TO-252B).pdf
Dioda barierowa Schottky’ego 10 A 200 V MBRF10R200CT TO-220F 200 V 10A Plik MBRF10R200CT技术规格书.pdf
40A 150V Schottky'egoDioda barierowa MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150 V 40A Plik źródłowy MBR40150CT 技术规格书.pdf
15A 40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800 V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65 技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200 V 120A DCC016M120G2 i DCCF016M120G2_Arkusz danych_V1.0.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą