brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Moduł półmostkowy 800A 1200 V IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62 MM 1200 V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
40A 100 V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specyfikacja urządzenia DH100P40.pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30 V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
100A 70V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPakiet DSG014N04N TO-220C 40 V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100 V 40A Podręcznik MBRF40100CT 技术规格书REV1.0(1).pdf
 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pakiet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04 DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Specyfikacja urządzenia DHP50P04 (DFN56)(1).pdf
Dioda Schottky'ego Barrier MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100 V 60A Plik MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200 V 10A 英文版D92-02B 技术规格书3PN.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600 V 20A 英文版MUR2060A 技术规格书(2L).pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 100 V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V 30A Podręcznik MBRD30100CT 技术规格书REV1.0.pdf
42A 600V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specyfikacja urządzenia DJC070N60F.pdf
145A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Specyfikacja urządzenia DH028N03.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą