未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
80A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 -220C 68V 80A Laite DH072N07 Specification.pdf
100A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Laitteen F50N20 Specification(1).pdf
80A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Laitteen DHS065N10P Specification(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
4A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Laite DCD04D65G4 Specification.pdf
20A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 -220C 80V 80A Laite DH80N08 B22 Specification.pdf
120A100V N-kanavainen Enhancement Mode Power MOSFET D120N10 -220C 100V 120A Laitteen D120N10ZR Specification.pdf
10A 600V pikapalautusdiodi MURF1060 TO-220-2L MURF 1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSU021N10NA TOLL PAKETTI DSU021N10NA TOLL 100V 300A Laite+DSU021N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
30A 200V pikapalautusdiodi MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
10A 800V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
180A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS015N06 TO-220C DHS015N06 -220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
16A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Donghai DHSJ21N65Z Datasheet V1.0(1).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
50A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34 mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com