未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

Kaikki tuotteet

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
80A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80a Laite DH072N07 Specification.pdf
-30A -60 V P-kanavan parannustila Power MOSFET DH300P06D TO-252B DH300P06D TO-252B -60 V -30a Laite DH300P06 Specification.pdf
120A 98V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120a Laite DHS046N10 Specification.pdf
500 V/4A puoli siltaa IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500 V 4a Dpqa04hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
105A 68 V N-kanavan parannustila Power Mosfet DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+
500 V/5A puoli siltaa IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5a Dpqa05hb50mf_datasheet_v1.0.pdf
60A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P Dfn5*6-8 70 V 56a Dh105n07p_datasheet_v1.0 (1) .pdf
41A 650 V N-kanava SiC Power Mosfet DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41a DCC060M65G2 & DCCF060M65G2_DataSheet_v1.0.pdf
60A 68 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60a Laite 50n06b34 spesifikaatio.pdf
60A 68V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68 V 60a Laite 50n06b34 spesifikaatio.pdf
10A 400 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400 V 10a Laite 740 Specification.pdf
8A 500 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8a
N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet 180A 80 V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180a Laite DH8004 -määritys (2) .pdf
238A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238a Laite DH026N06 Specification.pdf
75A 650 V: n puolisilta moduuli IGBT -moduuli DGA75H65M2T 34mm DGA75H65M2T 34 mm 650 V 75a DGA75H65M2T.PDF
50A 650 V Half Bridge -moduuli IGBT -moduuli DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50a DGA50H65M2T.PDF
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120a Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
110A 85 V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85 V 110a Laite DHS055N85 Specification.pdf
-30A -100V P-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30a Laite DH100P30CB1Q Specification.pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120a Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröityäksesi uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com