portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
30mΩ 1200V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2
20A 45V LOW VF SchottkyBarrierDiode MBR20R45CT TO-263 MBR20R45CT TO-263 45V 20A 英文版MBR20R45CT技术规格书.pdf
20A 60V LOW VF Schottky Barrier Diodi HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60V 20A 英文版HMBRD20R60技术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
8A 500 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 TO-220F 500V 8A Donghai_F8N50_Datesheet_V1.0.pdf
2N60/F2N60/I2N60/ E2N60/B2N60/D2N60
81A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP90N03 DFN5X6-8L DHP90N03 DFN5*6 30V 81A Donghai_DHP90N03_YAF Datasheet_ V1.0(1).pdf
30A 100V Schottky Barrier Diodi TO-220M MBR30100CT TO-220M 100V 30A 英文版MBR30100CT技术规格书REV1.0.pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D TO-252B DH100P30D TO-252B -100V -35A Donghai_DH100P30D_Datasheet_V1.0+.pdf
13N90
20A 45V SchottkyBarrierDiode MBR2045CT TO-220C MBR2045CT -220C 45V 20A 英文版MBR2045CT技术规格书.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD TO-252B 650V 5A 英文版D5N65-XAD技术规格书.pdf
20A 200V SchottkyBarrierDiode MBR20200CT TO-220M MBR20200CT TO-220M 200V 20A 英文版MBR20200CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC60F65M
30A 60V SchottkyBarrierDiode MBR3060CT TO-220M MBR3060CT TO-220M 60V 30A 英文版MBR3060CT技术规格书REV1.1(1).pdf
6N90/F6N90
 N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 8A 500V D8N50 TO-252B D8N50 TO-252B 500V 8A 英文版D8N50技术规格书REV1.1.pdf
20N90D/20N90B
25A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F -220C 650V 25A Laitteen DHSJ25N65F Specification.pdf
10A 200V SchottkyBarrierDiodi MBRF10R200CT TO-220F 200V 10A 英文版MBRF10R200CT技术规格书.pdf
7N80/F7N80/E7N80

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi