未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
80A 1200V pikapalautusdiodi MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V puolisilta IGBT-moduuli DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34 mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA -220C -60V -140A Laite+DTG050P06LA+Specification+Rev.1.0.pdf
80A 200V nopea palautusdiodi MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
8A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf
180A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Laite+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+datasheet+Rev.1.0.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650 V:n pykälän eristetty kaksinapainen transistori DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A _datasheet.pdf
SiC Schottky Barrier Diodi 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-kanavan laajennustilan teho MOSFET 30A 100V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Laitteen DH100P30AD Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C -220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Laite+DH066N06+Specification+Rev.2.0.pdf
12A 600V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 TO-220F 600V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
23A 500V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V puolisiltamoduuli DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com