未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
59A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 -220C 100V 59A Laite 60N10B76 Specification(1).pdf
85A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85A Laitteen DHS110N15D Specification.pdf
5A 800 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
180A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 -220C 80V 180A Laite DH029N08 Specification.pdf
-10A -40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Laite+DH170P04V+Specification.pdf
150 A 150 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120A 60V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 -220C 60V 120A Laite+DH065N06+Specification+Rev.2.0.pdf
60A 300V pikapalautusdiodi MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT TO-247 300V 60A 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
10A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Laite DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Laitteen DCGT08D65G4 Specification.pdf
100A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A -220C 68V 100A Laitteen DH3205A tekniset tiedot.pdf
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
180A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
60A 200V nopea palautusdiodi MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
170 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 1700V puolisilta IGBT-moduuli DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Laite DH045N04 Specification.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Kolminapainen jännitesäädin IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com