7N80/F7N80/E7N80

7A 800 V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavaiset parannetut vdmosfetit on saatu itsekohdistetun tasomaisen tekniikan avulla, joka vähentää johtavuushäviöitä, parantaa kytkentäsuorituskykyä ja lisää lumivyöryenergiaa. Mikä on RoHS:n mukainen

standardi. 

2 Ominaisuudet

● Nopea vaihto

● Parannettu ESD-ominaisuus

● Pieni resistanssi (Rdson≤1,8Ω)

● Matala portin lataus (Tyyppi: 33,9 nC)

● Matala paluusiirtokapasitanssi (tyyppi: 11,2 pF)

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

 Käytetään erilaisissa tehonkytkentäpiireissä järjestelmän pienentämiseksi ja tehokkuuden parantamiseksi.

 Elektroniliitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkinpiiri.

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
800V	1,5Ω	7A