saatavuus: | |
---|---|
Määrä: | |
7A 800V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet
1 Kuvaus
Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS: n kanssa
vakio.
2 ominaisuutta
● Nopea kytkentä
● ESD parannettu kyky
● Matala vastus (rdson≤1,8Ω)
● Matala portin varaus (TYP: 33.9NC)
● Matala käänteinen siirtokapasitanssit (TYP: 11.2PF)
● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100% AVDD -testi
3 sovellusta
Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen.
Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Henkilöllisyystodistus |
800 V | 1,5Ω | 7a |
7A 800V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet
1 Kuvaus
Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS: n kanssa
vakio.
2 ominaisuutta
● Nopea kytkentä
● ESD parannettu kyky
● Matala vastus (rdson≤1,8Ω)
● Matala portin varaus (TYP: 33.9NC)
● Matala käänteinen siirtokapasitanssit (TYP: 11.2PF)
● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100% AVDD -testi
3 sovellusta
Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen.
Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.
VDSS | RDS (ON) (TYP) | Henkilöllisyystodistus |
800 V | 1,5Ω | 7a |