未命名(1)(8) (1)
πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60Ν10 ΕΩΣ-220C 100V 59Α Device 60N10B76 Specification(1).pdf
85A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 150 V Power MOSFET DHS110N15D TO-252B DHS110N15D TO-252B 150V 85Α Προδιαγραφές συσκευής DHS110N15D.pdf
5A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F5N80 TO-220F F5N80 TO-220F 800V 5Α 英文版F5N80技术规格书.pdf
180A 80V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 ΕΩΣ-220C 80V 180Α Προδιαγραφές συσκευής DH029N08.pdf
-10A -40V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10Α Device+DH170P04V+Specification.pdf
150A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 150 V Power MOSFET DHS042N15E TO-263 DHS042N15E ΤΟ-263 150V 150Α Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
120A 60V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 ΕΩΣ-220C 60V 120Α Device+DH065N06+Specification+Rev.2.0.pdf
60A 300V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR6030BCT TO-247 MUR6030BCT ΤΟ-247 300V 60Α 英文版 MUR6030BCT 技术规格书REV.1.0.pdf
10A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 TO-252B 650V 10Α Προδιαγραφές συσκευής DCD10D65G4.pdf
8A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8Α Προδιαγραφές συσκευής DCGT08D65G4.pdf
Λειτουργία βελτίωσης 100A 68V N καναλιών Power MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A ΕΩΣ-220C 68V 100Α Προδιαγραφές συσκευής DH3205A.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600V 4Α 英文版F4N60技术规格书.pdf
180A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
60A 200V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60Α 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
170A 100V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 ΤΟ-263 100V 170Α Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Μονάδα 100A 1700V Halfridge IGBT DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 χιλιοστά 1700V 100Α DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50Α Προδιαγραφές συσκευής DH045N04.pdf
4,8A 650 V καναλιών N Super Junction MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8Α Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Ρυθμιστής τάσης τριών ακροδεκτών IC L7815 TO-220M L7815 ΕΩΣ-220Μ 15V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Υποτάσσομαι
Πνευματικά δικαιώματα © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com