10A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 TO-252

10A 650V SiC Schottky Barrier Diode

1 Περιγραφή 

Η οικογένεια προϊόντων της σειράς SiC προσφέρει κορυφαίες επιδόσεις. Είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία. 

2 Χαρακτηριστικά 

⚫ υψηλή τάση 

⚫ Μηδενικό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης 

⚫ Μηδενική τάση ανάκτησης προς τα εμπρός 

⚫ Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας σε VF 

⚫ 175°C Θερμοκρασία διακλάδωσης λειτουργίας 

3 Εφαρμογές 

⚫ Τροφοδοτικά εναλλαγής λειτουργίας 

⚫ Διόρθωση συντελεστή ισχύος 

⚫ Κίνηση κινητήρα, Φ/Β μετατροπέας, Αιολικός Σταθμός

VBRM	QC	IF (TC≤135℃)
650V	25nC	19Α