10A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD10D65G4 TO-252

10A 650V SiC Schottky Barrier Diode

1 Beskrywing 

SiC Series-produktefamilie bied moderne prestasie. Dit is ontwerp vir hoëfrekwensietoepassings waar hoë doeltreffendheid en hoë betroubaarheid vereis word. 

2 Kenmerke 

⚫ hoë spanning 

⚫ Nul omgekeerde herstelstroom 

⚫ Zero Forward Recovery Voltage 

⚫ Positiewe temperatuurkoëffisiënt op VF 

⚫ 175°C Bedryfsaansluitingstemperatuur 

3 Toepassings 

⚫ Skakelmodus-kragbronne 

⚫ Kragfaktor-korreksie 

⚫ Motoraandrywing, PV-omskakelaar, windkragstasie

VBRM	QC	IF (TC≤135℃)
650V	25nC	19A