10A 650V SiC Schottky Barrier Diodi DCD10D65G4 TO-252

10A 650V SiC Schottky Barrier Diodi

1 Kuvaus 

SiC-sarjan tuoteperhe tarjoaa huippuluokan suorituskyvyn. Se on suunniteltu suurtaajuussovelluksiin, joissa vaaditaan korkeaa tehokkuutta ja korkeaa luotettavuutta. 

2 Ominaisuudet 

⚫ korkea jännite 

⚫ Nolla käänteinen palautusvirta 

⚫ Nolla eteenpäin palautusjännite 

⚫ Positiivinen lämpötilakerroin VF:ssä 

⚫ 175°C Käyttöliittymän lämpötila 

3 Sovellukset 

⚫ Hakkuritilan virtalähteet 

⚫ Tehotekijäkorjaus 

⚫ Moottorikäyttö, PV-invertteri, tuulivoimala

VBRM	QC	JOS (TC≤135℃)
650V	25nC	19A