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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 200 V F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specifiche del dispositivo F50N20(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 100 V DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specifiche del dispositivo DHS065N10P(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specifiche del dispositivo DCD04D65G4.pdf
MOSFET di potenza F20N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 650 V F20N65
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 65 A 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
MOSFET di potenza F18N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 80 V DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Dispositivo DH80N08 B22 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 120A100V D120N10 TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo D120N10ZR.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 300 A 100 V PACCHETTO PEDAGGIO DSU021N10NA DSU021N10NA PEDAGGIO 100 V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza F10N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 800 V F10N80 TO-220F 800 V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS015N06 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 60 V DHS015N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+scheda tecnica+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650 V 16A Donghai DHSJ21N65Z Scheda tecnica V1.0(1).pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500 V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34 mm 1200 V 50A DHG50N120D.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700 V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf

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