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MOSFET N 100 V/2,2 mΩ/180 A DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo mezzo ponte 800A 1200V Modulo IGBT DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62MM 1200 V 800A DGB800H120L2T.pdf
40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 40 A 100 V DH100P40 TO-220C DH100P40 TO-220C 100 V 40A Specifiche del dispositivo DH100P40.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V DH012N03P DFN5 * 6 DH012N03P DFN5X6 30 V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 70 V DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSG014N04N TO-220CPacchetto DSG014N04N TO-220C 40 V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100 V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pacchetto DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
DHP50P04DFN5X6 DHP50P04 DFN5X6 -40 V -50A Specifiche del dispositivo DHP50P04(DFN56)(1).pdf
Diodo Barriera Schottky MBR60100BCT TO-247 MBR60100BCT TO-247 100 V 60A 英文版MBR60100BCT技术规格书.pdf
D92-02B TO-3PN D92-02B TO-3PN 200 V 10A 英文版D92-02B技术规格书3PN.pdf
Diodo a recupero rapido 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600 V 20A 英文版MUR2060A技术规格书（2L）.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 42 A 600 V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specifiche del dispositivo DJC070N60F.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 145 A 30 V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Dispositivo DH028N03 Specifiche.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

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