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Diodo barriera Schottky 10A 150V MBR10150CT TO-220M MBR10150CT TO-220M 150 V 10A MBR10150CT技术规格书.pdf
8N65 TO-220C 8N65
DSU047N15NA PACCHETTO PEDAGGIO DSU047N15NA
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCE20D65G4 TO-263 DCE20D65G4 TO-263 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCE20D65G4.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 200V MBRF30200CT TO-220F MBRF30200CT TO-220F 200 V 30A 英文版MBRF30200CT技术规格书REV1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 20A 400V MURF2040CT TO-220F MURF2040CT TO-220F 400 V 20A 英文版MURF2040CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza DHS044N12 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 160 A 120 V DHS044N12 TO-220C 120 V 160A Specifiche del dispositivo DHS044N12.pdf
85 V/2,9 mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 TO-220C 85 V 215A DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 70 A 650 V DJC070N65M2 TO-247 DJC070N65M2 TO-247 650 V 70A Dispositivo DJC070N65M2 Specifiche Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 70 A 82 V DH8290 TO-220C DH8290 TO-220C 82V 70A Specifiche del dispositivo DH8290.pdf
MOSFET di potenza DHS044N12E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 160 A 120 V DHS044N12E TO-263 120 V 160A DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
Modulo half bridge 600A 1200V DGD600H120L2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD600H120L2T EconoDUAL3 1200 V 600A DGD600H120L2T-REV1.1.pdf
MOSFET N TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A DHS180N10LD TO-252B 100 V 50A DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
MOSFET di potenza F20N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 600 V F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 TO-220C 60 V 145A Dispositivo DH045N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 25 A 650 V DHSJ25N65F TO-220C DHSJ25N65F TO-220C 650 V 25A Specifiche del dispositivo DHSJ25N65F.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCD20D65G4 TO-252 DCD20D65G4 TO-252B 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCD20D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 60 V DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60 V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo a recupero rapido 80A 600V MUR8060FCT TO-3PF MUR8060FCT TO-3PF 600 V 80A 英文版MUR8060FCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 30 mΩ 1200 V DCCF030M120G2 TO-247-4L DCCF030M120G2

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