Modulo half bridge 600A 1200V DGD600H120L2T CONFEZIONE EconoDUAL3

Modulo mezzo ponte 600A 1200V

1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano un eccellente VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,79 V @ IC = 600 A e Tj = 25°C 

● Capacità valanghe estremamente migliorata 

3 applicazioni 

•  Saldatura 

•  UPS 

•  Invertitore a tre livelli 

• Amplificatore servoazionamento AC e DC

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  Tipo	VCE	Circuito integrato	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Pacchetto
  DGD600H120L2T	1200 V	600 A (Tj=100 ℃)	1,79 V (tip.)	150 ℃	EconoDUAL3