gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » Modul IGBT » Pim » Modul Jembatan Setengah 600A 1200V DGD600H120L2T Paket Econodual3

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

600A 1200V Modul Jembatan Setengah DGD600H120L2T Paket Econodual3

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Ketersediaan:
Kuantitas:

Modul Jembatan Setengah 600A 1200V

1 deskripsi 

Transistor bipolar gerbang terisolasi ini menggunakan desain teknologi parit dan fieldstop canggih, memberikan kecepatan vcesat dan switching yang sangat baik, muatan gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Teknologi parit FS, koefisien suhu positif 

● Tegangan saturasi rendah: VCE (SAT), TYP = 1.79V @ IC = 600A dan TJ = 25 ° C 

● Kemampuan longsoran yang sangat ditingkatkan 


3 aplikasi 

  •  Pengelasan 

  •  UPS 

  •  Inverter tiga leve 

  • AC dan DC Servo Drive Amplifier



  • Jenis Vce Ic Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Kemasan
    DGD600H120L2T 1200v 600A (TJ = 100 ℃) 1.79v (Typ) 150 ℃ Econodual3
Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Newsletter kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda