ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: Домашній » Продукція » Модуль IGBT » Пай » 600a 1200V половин

навантаження

Поділитися на:
Кнопка обміну Facebook
Кнопка обміну Twitter
Кнопка спільного використання рядків
Кнопка обміну WeChat
Кнопка спільного використання LinkedIn
Кнопка спільного використання Pinterest
кнопка обміну WhatsApp
Кнопка спільного використання Sharethis

600A 1200V Половина модуля модуля DGD600H120L2T ECONODUAL3 ПАКЕТ

Ці утеплені затвори біполярний транзистор використовували вдосконалену технологію траншеї та технології Fieldstop, забезпечили відмінну швидкість VCESAT та перемикання, низький заряд воріт. Що відповідає стандарту ROHS.
Наявність:
Кількість:
  • DGD600H120L2T

  • WXDH

  • Econodual3

  • Dgd600h120l2t-rev1.1.pdf

  • 1200V

  • 600a

600A 1200 В модуль мосту мосту

1 опис 

Ці утеплені затвори біполярний транзистор використовували вдосконалену технологію траншеї та технології Fieldstop, забезпечили відмінну швидкість VCESAT та перемикання, низький заряд воріт. Що відповідає стандарту ROHS. 


2 особливості 

● Технологія траншеї FS, позитивний коефіцієнт температури 

● Низька напруга насичення: VCE (SAT), TYP = 1,79 В @ IC = 600A і TJ = 25 ° C 

● Надзвичайно посилена здатність до лавини 


3 програми 

  •  Зварювання 

  •  Підйом 

  •  Тривовний інвертор 

  • Підсилювач AC та DC Servo Drive



  • Тип Vce ІМ Vcesat, tj = 25 ℃ Tjop Пакет
    DGD600H120L2T 1200V 600a (TJ = 100 ℃) 1,79 В (тип) 150 ℃ Econodual3
Попередній: 
Далі: 
  • Підпишіться на наш бюлетень
  • Будьте готові до майбутнього
    реєстрації для нашого інформаційного бюлетеня, щоб отримати оновлення прямо до вашої поштової скриньки