10n80/f10n80/e10n80

10A 800V N-channel Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con i ROHS

standard. 

2 caratteristiche

● commutazione rapida

● ESD Capacità migliorata

● Resistenza bassa (RDSON≤0,9Ω)

● Carica a basso gate (Tipo: 65NC)

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 25pf)

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS

3 applicazioni

 Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

 Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore di elettroni.