10N80/F10N80/E10N80

10A 800V N-channel Mode Mode MOSFET

1 الوصف

يتم الحصول على هذه القناة N المعززة VDMOSFETs ، من خلال تقنية مستوية محاذاة ذاتيا والتي تقلل من فقدان التوصيل ، وتحسين أداء التبديل وتعزيز طاقة الانهيار. الذي يتوافق مع ROHS

معيار. 

2 ميزات

● التبديل السريع

● ESD تحسين القدرة

● منخفضة على المقاومة (RDSON≤0.9Ω)

● شحنة بوابة منخفضة (TYP: 65NC)

● السعة المنخفضة النقل العكسي (TYP: 25PF)

● 100 ٪ اختبار طاقة النبض المنفرد

● اختبار 100 ٪ ΔVDS

3 تطبيقات

 تستخدم في دائرة تبديل الطاقة المختلفة لتصغير النظام والكفاءة العالية.

 دائرة مفتاح الطاقة من صابورة الإلكترون والمحول.