10N80/F10N80/E10N80

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 10 A 800 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N sont obtenus grâce à la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie d'avalanche. Ce qui est conforme au RoHS

standard. 

2 Caractéristiques

● Commutation rapide

● Capacité améliorée ESD

● Faible résistance (Rdson≤0,9Ω)

● Faible charge de grille (type : 65 nC)

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 25 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

3 candidatures

 Utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée.

 Circuit de commutation d'alimentation du ballast électronique et de l'adaptateur.

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
800V	0,68Ω	10A