BESCHIKBAARHEID: | |
---|---|
Aantal: | |
10A 800V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET
1 beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde VDMOSFET's, wordt verkregen door de zelfgeligde vlakke technologie die het geleidingsverlies verminderen, de schakelprestaties verbeteren en de lawine-energie verbeteren. Die overeenkomt met de ROHS
standaard.
2 functies
● Snel schakelen
● ESD verbeterde mogelijkheden
● Laag op weerstand (rdson≤0,9Ω)
● Lage poortlading (typ: 65nc)
● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten (typ: 25pf)
● 100% enkele puls Avalanche Energy Test
● 100% AVDS -test
3 toepassingen
Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuit voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
VDSS | RDS (ON) (typ) | Id |
800V | 0,68Ω | 10a |
10A 800V N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET
1 beschrijving
Deze N-kanaal verbeterde VDMOSFET's, wordt verkregen door de zelfgeligde vlakke technologie die het geleidingsverlies verminderen, de schakelprestaties verbeteren en de lawine-energie verbeteren. Die overeenkomt met de ROHS
standaard.
2 functies
● Snel schakelen
● ESD verbeterde mogelijkheden
● Laag op weerstand (rdson≤0,9Ω)
● Lage poortlading (typ: 65nc)
● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten (typ: 25pf)
● 100% enkele puls Avalanche Energy Test
● 100% AVDS -test
3 toepassingen
Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuit voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie.
Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.
VDSS | RDS (ON) (typ) | Id |
800V | 0,68Ω | 10a |