10N80/F10N80/E10N80

Chế độ tăng cường kênh N 10A 800V MOSFET nguồn

1 Mô tả

Các vdmosfet nâng cao kênh N này có được nhờ công nghệ phẳng tự điều chỉnh giúp giảm tổn hao dẫn điện, cải thiện hiệu suất chuyển mạch và tăng cường năng lượng tuyết lở. Phù hợp với RoHS

tiêu chuẩn. 

2 tính năng

● Chuyển đổi nhanh

● Khả năng cải tiến của ESD

● Điện trở thấp (Rdson<0,9Ω)

● Phí cổng thấp (Loại: 65nC)

● Điện dung truyền ngược thấp (Loại: 25pF)

● Kiểm tra năng lượng tuyết lở xung đơn 100%

● Kiểm tra ΔVDS 100%

3 ứng dụng

 Được sử dụng trong các mạch chuyển mạch nguồn khác nhau để thu nhỏ hệ thống và đạt hiệu quả cao hơn.

 Mạch chuyển đổi nguồn của chấn lưu điện tử và bộ chuyển đổi.

VDSS	RDS(bật)(TYP)	NHẬN DẠNG
800V	0,68Ω	10A