10N80/F10N80/E10N80

10A 800V N-ሰርጥ ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከ RoHS ጋር ይስማማል።

መደበኛ. 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር

● ESD ችሎታን አሻሽሏል።

● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤0.9Ω)

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 65nC)

● ዝቅተኛ የዝውውር አቅም (አይነት፡ 25pF)

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ

● 100% ΔVDS ፈተና

3 መተግበሪያዎች

 በተለያዩ የሃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት አነስተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።

 የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
800 ቪ	0.68Ω	10 ኤ