10N80/F10N80/E10N80

10A 800V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS

vexillum. 

2 Features

Fast commutatione

ESD melius facultatem

● Minimum resistente (Rdson≤0.9Ω)

Praefectum portae Minimum (Typ: 65nC)

Minimum contra capacitates translationis (Typ: 25pF)

C% unius pulsus NIVIS industria test

C% VDS test

III Applications

 In variis vi mutandi circuitio ad systema miniaturizationis et efficientiae superioris adhibita.

 Potestas transiens ambitum electronici adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
800V	0.68Ω	10A