10N80/F10N80/E10N80

10A 800V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το RoHS

πρότυπο. 

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤0,9Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 65nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 25pF)

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%.

3 Εφαρμογές

 Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

 Κύκλωμα διακόπτη ισχύος ηλεκτρονίων έρματος και προσαρμογέα.

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
800V	0,68Ω	10Α