未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
100A 650 В половина модуля модуля мостового модуля IGBT DGA100H65M2T 34 мм DGA100H65M2T 34 мм 650 В. 100А DGA100H65M2T.PDF
600A 650 В половина мостового модуля IGBTModule DGD600H65M2T ECONODUAL3 Пакет DGD600H65M2T Econodual3 650 В. 600а DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
18A 650V Изолированный биполярный транзистор DHG20T65D до-220F DHG20T65D До-220f 650 В. 18а Устройство DHG20T65D Спецификация (TO-220F) .pdf
100A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 До-220c 60 В 100А DH066N06D_DATASHEET_V2.0.PDF
18A 100 В P-канала режим улучшения мощности MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B До 251b 100 В 18а Устройство DH100P18 B79 Specification.pdf
150A 1200 В половина мостового модуля DGB150H120L2T 62 мм DGB150H120L2T 62 мм 1200 В. 150a DGB150H120L2T (1) .pdf
250A 1200V Половина мостового модуля IGBTModule DGB250H120L2T 62 мм DGB250H120L2T 62 мм 1200 В. 250a DGB250H120L2T-REV1.1.PDF
20A 500V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 20N50B TO-247 20n50b До 247 500 В. 20А Устройство 20N50 Спецификация (1) .pdf
N-канальный режим режима мощности MOSFET 145A 60V DH045N06D до 252B DH045N06 До-220c 60 В 145а Устройство DH045N06 Specification.pdf
50A 1200V PIM в однопакете IGBT MODULE DGC50C120M2T ECONO PIM2 DGC50C120M2T Econo Pim2 1200 В. 50а DGC50C120M2T-REV1.0.PDF
450A 1200V Половина модуля модуля IGBTModule DGD450H120L2T ECONODUAL3 Пакет DGD450H120L2T Econodual3 1200 В. 450а DGD450H120L2TREV1.1.pdf
150A 1200 В половина модуля модуля мостового модуля IGBT DGA150H120M2T 34 мм DGA150H120M2T 34 мм 1200 В. 150a DGA150H120M2T (1) .pdf
60a 200 В диод быстрого восстановления MUR602020BCA до 247s MUR6020BCA До 247s 200 В 60A 英文版 MUR6020BCA 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
14A 650V N-канальный режим режима мощности Power Mosfet 14N65 до-220C 14n65 До-220c 650 В. 14а 英文版 14n65 技术规格书 ay3 (1) .pdf
18A 500V N-канальный режим режима мощности MOSFET 18N50D TO-3PN 18n50d До 3pn 500 В. 18а 英文版 18n50d 技术规格书 .pdf
40A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD80N03 до 252B DHD80N03 До 252b 30 В 40a DHD80N03_DATASHEET_V3.0.PDF
90A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH045N04D до 252B DH045N04D До 252b 100 В 50а Устройство DH045N04 Specification.pdf
Регулятор с тремя терминалами IC L7812 до-220M 19812 До 220м 12 В 8 мА 英文版 L78xx 技术规格书 .pdf
-100V/33Mω/-35a p-mosfet dh100p30d до 252b DH100P30D До 252b -100 В. -35a DH100P30D_DATASHEET_V1.0+.pdf
140A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5X6-8L 40 В 140a Устройство DHP035N04 Specification.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com