Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
25А 1700В SiC диод Шоттки с барьером DCCT25D170G1 ТО-247-2Л 1700В 25А Спецификация устройства DCCT25D170G1.pdf
180A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSD040N08N3A TO-252B ДСД040Н08Н3А ТО-252Б 85В 180А Устройство+DSD040N08N3A+Спецификация+Ред.1.0.pdf
18А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 18N50 TO-220C 18Н50 ТО-220С 500В 18А 英文版18N50技术规格书.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB07HB50MFN ЭСОП-9 500В 7А DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB03HB50MFN ЭСОП-9 500В 3А DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2А, 600 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор F2N60 TO-220F Ф2Н60 ТО-220Ф 600В 2А
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 100 В DH10H035R TO-220C ДХ10Х035Р ТО-220С 100В 120А Спецификация устройства DH10H035R.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B5N50 TO-251B Б5Н50 ТО-251Б 500В 5А Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
5А, 500 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор МОП-транзистор D5N50 TO-252B Д5Н50 ТО-252Б 500В 5А Спецификация устройства D5N50&B5N50.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB05HB50MFN ЭСОП-9 500В 5А DPQB05HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
18Н50/Ф18Н50/18Н50Д
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB04HB50MF ЭСОП-9 500В 4А DPQB04HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
220 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH009N02P DFN5*6-8 ДХ009N02P ДФН5*6-8 20 В 220А Спецификация устройства DH009N02P.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB04HB50MFN ЭСОП-9 500В 4А DPQB04HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN ДСН108Н20Н ТО-3ПН 200В 110А DSN108N20N_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB03HB50MF ЭСОП-9 500В 3А DPQB03HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf
240 А, 85 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DHS020N88U, платный пакет ДХС020Н88У ПОТЕРИ 85В 285А DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS035N88 TO-220C ДХС035Н88 ТО-220С 80В 175А DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
Диод с барьером Шоттки 10 А, 150 В MBR10150CT TO-263 МБР10150CT ТО-263 150 В 10А MBR10150CT Защитный кожух.pdf.
Полумостовой IPM 500 В/3 А DPQB03HB50MF ESOP-9 ДПQB07HB50MF ЭСОП-9 500В 7А DPQB07HB50MF_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com