未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукция » Igbt » 600V-650V » 30A 650V Траншевая сделка биполярный транзистор DGF30F65M2 TO-220F

загрузка

Поделиться с:
Кнопка обмена Facebook
Кнопка обмена Twitter
Кнопка обмена строками
Кнопка обмена WeChat
Кнопка совместного использования LinkedIn
Pinterest кнопка совместного использования
Кнопка обмена WhatsApp
Кнопка обмена Sharethis

30A 650 В траншея, изолированная затвора Биполярный транзистор DGF30F65M2 до-220F

Используя проприетарную конструкцию траншеи и технологию FS в Донхае, IGBT 650V предлагает превосходные и коммутационные характеристики, высокая бурная бурость в области легкой параллельной эксплуатации : Количество
:
Количество:
Запросить Добавить в корзину

  • DGF30F65M2

  • WXDH

  • До-220f

  • Dgf30f65m2__datasheet.pdf

  • 650 В.

  • 30A

30A 650 В транс -стоп биполярный транзистор.


1 функции 

Используя проприетарную конструкцию траншеи и технологию FS Donghai. 


2 функции 

● Технология FS Trench, положительный коэффициент температуры

● Низкое напряжение насыщения: vce (sat), typ = 1,9 В @ IC = 30A и TJ = 25 ° C

● Чрезвычайно улучшенные возможности лавины


3 приложения

● Сварка 

● UPS 

● Трехуровневый инвертор


VCES Упаковка IC (TJ = 100 ℃)
650 В. До-220f 30A 


Предыдущий: 
Следующий: 
Igbt
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com