transistor bipolar DGF30F65M2 TO-220F de la puerta aislada Trenchstop de 30A 650V

Transistor bipolar de puerta aislada Trenchstop de 30A 650V

1 características 

Utilizando el diseño de trinchera patentado de DongHai y la avanzada tecnología FS, el IGBT FS de 650 V ofrece rendimiento de conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. 

2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ = 1,9 V @ IC = 30 A y Tj = 25 °C

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones

● Soldadura 

● SAI 

● Inversor de tres niveles

Vces	Paquete	Ic(Tj=100℃)
650V	TO-220F	30A