geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT » 600V-650V » 30A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör DGF30F65M2 TO-220F

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşıfca505d=⚫ Sıfır İleri Kurtarma G6=ilimi
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

30A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör DGF30F65M2 TO-220F

DongHai'nin tescilli Trench tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün ve anahtarlama performansları, yüksek çığ dayanıklılığı, kolay paralel çalışma
.
sunar

30A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör


1 Özellikler 

DongHai'nin tescilli Trench tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün ve anahtarlama performansları, yüksek çığ dayanıklılığı, kolay paralel çalışma sunar 


2 Özellikler 

● FS Hendek Teknolojisi, Pozitif sıcaklık katsayısı

● Düşük doyma voltajı: VCE(sat), tip = 1,9V @ IC =30A ve Tj = 25°C

● Son derece gelişmiş çığ kapasitesi


3 Uygulama

● Kaynak 

● UPS 

● Üç Seviyeli İnvertör


Vces Paket IC(Tj=100°C)
650V TO-220F 30A 


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun