geçit
Jiangsu Donghai Yarıiletken Co, Ltd
Buradasınız: Ev » Ürünler » IGBT » 600V-650V » 30A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör DGF30F65M2 TO-220F

yükleniyor

Şurada paylaş:
facebook paylaşım butonu
twitter paylaşım butonu
hat paylaşma butonu
wechat paylaşım düğmesi
linkedin paylaşım butonu
ilgi alanı paylaşma düğmesi
whatsapp paylaşım butonu
bu paylaşım düğmesini paylaş

30A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör DGF30F65M2 TO-220F

DongHai'nin tescilli Trench tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün ve anahtarlama performansları, yüksek çığ dayanıklılığı, kolay paralel çalışma
.
sunar

30A 650V Hendek Durdurucu Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistör


1 Özellikler 

DongHai'nin tescilli Trench tasarımını ve gelişmiş FS teknolojisini kullanan 650V FS IGBT, üstün ve anahtarlama performansları, yüksek çığ dayanıklılığı, kolay paralel çalışma sunar 


2 Özellikler 

● FS Trench Teknolojisi, Pozitif sıcaklık katsayısı

● Düşük doyma voltajı: VCE(sat), tip = 1,9V @ IC =30A ve Tj = 25°C

● Son derece gelişmiş çığ kapasitesi


3 Uygulama

● Kaynak 

● UPS 

● Üç Seviyeli İnvertör


Vces Paket IC(Tj=100°C)
650V TO-220F 30A 


Öncesi: 
Sonraki: 
  • Bültenimize kaydolun
  • geleceğe hazırlanın
    güncellemeleri doğrudan gelen kutunuza almak için bültenimize kaydolun