30A 650V Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor DGF30F65M2 TO-220F

30A 650V Trenchstop Isoleret Gate Bipolar Transistor

1 funktioner 

Ved at bruge DongHai's proprietære Trench-design og avancerede FS-teknologi, tilbyder 650V FS IGBT overlegen og skiftende ydeevne, høj lavine robusthed nem parallel betjening 

2 funktioner 

● FS Trench Technology, positiv temperaturkoefficient

● Lav mætningsspænding: VCE(sat), typ = 1,9V @ IC =30A og Tj = 25°C

● Ekstremt forbedret lavinekapacitet

3 Ansøgninger

● Svejsning 

● UPS 

● Tre-niveau inverter

Vces	Pakke	Ic(Tj=100℃)
650V	TO-220F	30A