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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo
Disponibilità:
Quantità:

Transistor bipolare con gate isolato Trenchstop da 30 A 650 V


1 Caratteristiche 

Utilizzando il design Trench proprietario di DongHai e la tecnologia FS avanzata, l'IGBT FS da 650 V offre prestazioni di commutazione superiori, elevata robustezza a valanga, facile funzionamento in parallelo 


2 Caratteristiche 

● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo

● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,9 V @ IC = 30 A e Tj = 25°C

● Capacità valanghe estremamente migliorata


3 applicazioni

● Saldatura 

●UPS 

● Invertitore a tre livelli


Vces Pacchetto Ic(Tj=100℃)
650 V TO-220F 30A 


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