未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » IGBT » 600V-650V » Bipolarni tranzistor DGF30F65M2 TO-220F z izoliranimi vrati 30A 650V Trenchstop

nalaganje

Skupna raba z:
facebook gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na Twitterju
gumb za skupno rabo linije
gumb za skupno rabo v wechatu
Linkedin gumb za skupno rabo
gumb za skupno rabo na pinterestu
gumb za skupno rabo WhatsApp
deli ta gumb za skupno rabo

30A 650V bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati za zaporo DGF30F65M2 TO-220F

650 V FS IGBT z uporabo DongHaijeve lastniške zasnove Trench in napredne tehnologije FS ponuja vrhunske in preklopne zmogljivosti, visoko odpornost na plazove, enostavno vzporedno delovanje.
Razpoložljivost:
Količina:
Povprašajte Dodaj v košarico

Bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati 30A 650V


1 Lastnosti 

Z uporabo DongHaijeve lastniške zasnove Trench in napredne tehnologije FS nudi 650 V FS IGBT vrhunske in preklopne zmogljivosti, visoko odpornost na plazove, enostavno vzporedno delovanje 


2 Lastnosti 

● FS Trench Technology, pozitivni temperaturni koeficient

● Nizka nasičena napetost: VCE (sat), tip = 1,9 V pri IC = 30 A in Tj = 25 °C

● Ekstremno izboljšana zmogljivost za plaz


3 Aplikacije

● Varjenje 

● UPS 

● Trinivojski pretvornik


Vces Paket Ic (Tj=100 ℃)
650V TO-220F 30A 


Prejšnja: 
Naprej: 
IGBT
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik
    Predloži
Copyright © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com