30a 650v post trachstop insulatedtop ປະຕູຮົ້ວ bipolar transistor dgf30f65m2 ເຖິງ 220f

30a 650v travelstop ປະຕູຮົ້ວປະສົມປະສານ tripistor

1 ລັກສະນະ 

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບນ້ໍາທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ donghai ແລະເທັກໂນໂລຢີລ່ວງຫນ້າຂອງ Donghai, The 650v FS IGBT ໃຫ້ການສະແດງສູງແລະສັບປ່ຽນ, ມີການປະຕິບັດງານຂະຫນານກັນດີ 

2 ລັກສະນະ 

● FS Tranench ເຕັກໂນໂລຢີ, ຕົວເລືອກອຸນຫະພູມໃນແງ່ບວກ

● VCE ຄວາມສຸກ: VCE (SAT), SAT), ປະເພດ = 1.9V @ ic = ic = 30a ແລະ TJ = 25 ° C

●ຄວາມສາມາດທີ່ດີເລີດທີ່ສຸດ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

●ການເຊື່ອມໂລຫະ 

● 

●ລະດັບ 3 ລະດັບ