ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ » IGBT » 600V-650V » 30A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGF30F65M2 TO-220F

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar DGF30F65M2 TO-220F

ແບ່ງປັນໄປທີ່:

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar DGF30F65M2 TO-220F

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເທກໂນໂລຍີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ການ avalanche ສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ

ມີໃຫ້:

ປະລິມານ:



ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ

ຕົວແບບ:
DGF30F65M2
ຍີ່ຫໍ້:
WXDH
ຊຸດ:
TO-220F
ແຜ່ນຂໍ້ມູນ:
DGF30F65M2__datasheet.pdf
V:
650V
A:
30A

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

30A 650V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar

1 ຄຸນສົມບັດ

ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ Trench ທີ່ເປັນເຈົ້າຂອງ DongHai ແລະກ້າວຫນ້າທາງດ້ານເຕັກໂນໂລຢີ FS, 650V FS IGBT ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຫນືອກວ່າແລະສະຫຼັບ, ຫິມະຫິມະສູງ ruggedness ການດໍາເນີນງານຂະຫນານງ່າຍ.

2 ຄຸນສົມບັດ

● FS Trench Technology, ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ

● ແຮງດັນຄວາມອີ່ມຕົວຕໍ່າ: VCE(sat), typ = 1.9V @ IC = 30A ແລະ Tj = 25°C

● ຄວາມສາມາດຂອງຫິມະຫິມະຕົກທີ່ດີຂຶ້ນ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

● ການເຊື່ອມໂລຫະ

● UPS

● Inverter ສາມລະດັບ

Vces	ຊຸດ	Ic(Tj=100℃)
650V	TO-220F	30A

ທີ່ຜ່ານມາ:

ຕໍ່ໄປ:

IGBT

ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງໄປຫາ inbox ຂອງທ່ານ

ສົ່ງ

ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາ
ກ່ຽວກັບ LETOR
ລິ້ງເພີ່ມເຕີມ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

ອີເມວ:

sales@wxdh.com .cn

ຕັ້ງໂຕະ:

+86-510-85307789
ເຄືອຂ່າຍສັງຄົມ