未命名 (1) (8) (1)
դարբաս
Jiangsu Donghai կիսահաղորդչային ընկերություն, ՍՊԸ
եք Տուն այստեղ Արտադրանք Դուք Igbt ​ 600 Վ -650V ​ ​

բեռնում

Կիսվեք,
Facebook- ի փոխանակման կոճակը
Twitter- ի փոխանակման կոճակը
Գծի փոխանակման կոճակը
Wechat Sharing կոճակը
LinkedIn Sharing կոճակը
Pinterest Sharing կոճակը
WhatsApp- ի փոխանակման կոճակը
ShareThis Sharing կոճակը

30 ա 650V TRASTSTOP Մեկուսացված դարպասի երկբեւեռ Transistor DGF30F65M2 to-220f

Օգտագործելով Դոնգայի գույքային խրամատի ձեւավորում եւ նախնական FS տեխնոլոգիա, 650V FS IGBT- ն առաջարկում է բարձրակարգ եւ փոխարկիչ ներկայացումներ, բարձր ավալանշ գորշություն Հեշտ զուգահեռ գործողության
մատչելիություն.
Քանակ:
Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ

  • DGF30F65M2

  • Wxdh

  • Մինչեւ 220F

  • Dgf30f65m2__datasheet.pdf

  • 650V

  • 30 ա

30 ա 650V TRASTSTOP մեկուսացված դարպասի երկբեւեռ տրանզիստոր


1 առանձնահատկություններ 

Օգտագործելով Donghai- ի գույքային խրամատի ձեւավորում եւ նախնական FS տեխնոլոգիա, 650V FS IGBT- ն առաջարկում է բարձրակարգ եւ փոխարկող ներկայացումներ, բարձր ավալանշ գորշություն Հեշտ զուգահեռ գործողություն 


2 առանձնահատկություններ 

● FS խրամատ տեխնոլոգիա, դրական ջերմաստիճանի գործակից

● Low ածր հագեցման լարում. VCE (SAT), TYP = 1.9V @ IC = 30A եւ TJ = 25 ° C

● Չափազանց ուժեղացված ավալանշի ունակություն


3 դիմում

● Եռակցում 

● ups 

● Եռուկի ինվերտոր


Վզես Փաթեթ IC (TJ = 100 ℃)
650V Մինչեւ 220F 30 ա 


Նախորդը: 
Հաջորդը. 
Igbt
  • Jiangsu Donghai կիսահաղորդչային ընկերություն, ՍՊԸ
  • Գրանցվեք մեր տեղեկագրին
  • Պատրաստվեք ապագա
    գրանցվել մեր տեղեկագրին, ձեր մուտքի արկղի թարմացումներ ստանալու համար
    Ներկայացնել
Հեղինակային իրավունք © 2023Jiangsu Donghai կիսահաղորդչային Co., Ltd տեխնոլոգիա LEATONG