未命名 (1) (8) (1)
Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Sie sind hier: Heim » Produkte
Modell:
Paket:
V:
A:
Ausgewählte Produktlinien:

Alle Produkte

Bildmodellpaket ​ Eine v Datenblattdetails zum Korb Anfrage hinzufügen
100a 650 V Halbbrückenmodul IGBT -Modul DGA100H65M2T 34 mm DGA100H65M2T 34 mm 650 V 100a DGA100H65M2T.PDF
600A 650 V Halbbrückenmodul IGBTMODUL DGD600H65M2T ECONODUAL3 PAKET DGD600H65M2T ECONODUAL3 650 V 600a DGD600H65M2T Rev1.0.pdf
18a 650 V Isoliertes Gate Bipolar Transistor DHG20T65D TO-220F DHG20T65D To-220f 650 V 18a Geräte DHG20T65D-Spezifikation (TO-220F) .pdf
100A 60V N-Kanal-Verbesserungsmodus MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 To-220c 60 V 100a Dh066n06d_datasheet_v2.0.pdf
18A 100V P-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH100P18B bis 251B DH100P18B To-251b 100V 18a Gerät DH100P18 B79 Spezifikation.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul DGB150H120L2T 62 mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150a DGB150H120L2T (1) .pdf
250A 1200V Halbbrückenmodul IGBTMODUL DGB250H120L2T 62 mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250a DGB250H120L2T-REV1.1.PDF
20A 500V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 20N50B TO-247 20n50b To-247 500V 20a Gerät 20N50 Spezifikation (1) .pdf
N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 To-220c 60 V 145a Gerät DH045N06 Spezifikation.pdf
50A 1200V PIM im Ein-Package-IGBT-Modul DGC50C120M2T ECONO PIM2 DGC50C120M2T ECONO PIM2 1200V 50a DGC50C120M2T-REV1.0.PDF
450A 1200V Halbbrückenmodul IGBTMODULE DGD450H120L2T ECONODUAL3 PAKET DGD450H120L2T ECONODUAL3 1200V 450a DGD450H120L2TREV1.1.PDF
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT -Modul DGA150H120M2T 34 mm DGA150H120M2T 34 mm 1200V 150a DGA150H120M2T (1) .pdf
60A 200V Fast Recovery Diode Mur6020bca to-247s Mur6020bca To-247s 200V 60a 英文版 MUR6020BCA 技术规格书 Rev. 1.1.pdf
14A 650V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 14N65 bis 220c 14n65 To-220c 650 V 14a 英文版 14n65 技术规格书 AY3 (1) .pdf
18A 500V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET 18N50d bis 3PN 18n50d To-3pn 500V 18a 英文版 18n50d 技术规格书 .pdf
40A 30V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHD80N03 bis 252B DHD80N03 To-252b 30V 40a Dhd80n03_datasheet_v3.0.pdf
90A 40V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D To-252b 100V 50a Gerät DH045N04 Spezifikation.pdf
Dreier-terminaler Spannungsregler IC L7812 bis 220 m L7812 To-220m 12V 8ma 英文版 L78XX 技术规格书 .pdf
-100V/33mΩ/-35A P-MOSFET DH100P30D bis 252B DH100P30D To-252b -100V -35a Dh100p30d_datasheet_v1.0+.pdf
140a 40V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5X6-8L 40V 140a Gerät DHP035N04 Spezifikation.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Sie sich bereit für die Zukunft
    Machen
    Einreichen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology von Leadong.com