13a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C

13a 650 V N-Kanal Super Junction Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Entechnik, um einen hervorragenden RDSON mit niedriger Gate-Ladung zu bieten. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 0,32 Ω)

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 27NC)

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 3.3PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS). 

● Unterbrechungsfreies Stromversorgung (UPS).