13A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ13N65 TO-220C

13 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson ≤ 0,32 Ω)

● Niedrige Gate-Ladung (typisch: 27 nC)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 3,3 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC).

● Schaltnetzteile (SMPS). 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV).

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	0,28 mΩ	13A