MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 13 A y 650 V

1 Descripción 

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar un Rdson excelente con una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia (Rdson≤0.32Ω)

● Carga de puerta baja (tipo: 27 nC)

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 3,3 pF)

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● Corrección del factor de potencia (PFC).

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). 

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS).

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	0,28 mΩ	13A