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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance à super jonction canal N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C

MOSFET de puissance à super jonction canal N 13 A, 650 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance à super jonction canal N 13 A 650 V


1 Descriptif 

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisent une technologie et une conception avancées de super jonction pour fournir un excellent Rdson avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 


2 Caractéristiques 

● Commutation rapide 

● Faible résistance (Rdson≤0,32Ω)

● Faible charge de grille (type : 27 nC)

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 3,3 pF)

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS


3 candidatures

● Correction du facteur de puissance (PFC).

● Alimentations à découpage (SMPS). 

● Alimentation sans interruption (UPS).

VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
650V 0,28 mΩ 13A


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