120 V/12mΩ/70A n-Mosfet
1 Beschreibung
Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
• Niedriger Widerstand
• Niedrige Umkehrtransferkapazität
• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform
• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
• 100% ΔVDS -Testanwendungen
3 Anwendung
• Stromschaltanwendungen
• DC-DC-Konverter
• Vollbrückenkontrolle
VDSS |
RDS (ON) (Typ) |
AUSWEIS |
120 V |
12m Ω |
70a |