20 A 500 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F20N50

20 A 500 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Silizium-N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erhalten, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤0,3Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 52 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 16 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höherPAKET direkt zu einem niedrigen Preis und in hoher Qualität.

● Netzschalterschaltung von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
500V	0,24 Ω	20A